Динамика возбужденных состояний носителей заряда в квантовых точках полупроводниковых соединений AIVBVI в стеклах и коллоидных растворах
Loading...
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20101041
Abstract
Объектом исследования являются стекла и коллоидные растворы, содержащие наночастицы полупроводникового соединения сульфида свинца. Цель НИР – установление закономерностей процессов испускания и поглощения света квантовыми точками полупроводниковых соединений типа AIVBVI, находящихся в различных матрицах (стеклах и коллоидных растворах), а также установление влияния матричного окружения на процессы релаксации носителей заряда.
item.page.description-other
Description
Citation
Динамика возбужденных состояний носителей заряда в квантовых точках полупроводниковых соединений AIVBVI в стеклах и коллоидных растворах : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20101041 / Белорусский национальный технический университет ; рук. М. С. Гапоненко ; исполн.: Ю. В. Волк, Н. А. Толстик. – Минск : [б. и.], 2010.