Способ формирования геттерирующего скрытого слоя - Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Пилипенко, В. А. (БНТУ, 2021)
Рассмотрен способ формирования геттерирующего слоя в составе транзисторной структуры интегральной схемы. Для введения вольфрама в качестве геттерирующей примеси предлагается использовать метод газоразрядного легирования в режиме тлеющего разряда или интенсификацию процесса методом лазерного распыления материала мишени.
Method of formation of the gettering latent layer