Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Memristor structure based on nonstoichiometric silicon nitride
Abstract
Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры также обнаружен эффект фотопереключения.
item.page.description-other
The electrophysical properties and the resistive switching effect of the ITO/SiNx/Si memristor structure have been studied. Concentration of excess silicon atoms in the SiNx film with a thickness of ~200 nm increases from 16 to 77 % when approaching the Si substrate.The resistive switching effect and conduction mechanism at high and low resistance states are discussed. The photo-switching effect was also found for that structure.
Description
Citation
Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния = Memristor structure based on nonstoichiometric silicon nitride / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 83-85.