Моделирование методом Монте-Карло растекания линий тока в элементах флеш-памяти
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Monte Carlo simulation of current lines spreading in flash memory cells
Abstract
Методом Монте-Карло проведено моделирование процесса паразитного туннелирования электронов в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором. Рассчитаны зависимости величины паразитного туннельного тока от координаты вдоль проводящего канала транзисторов с мелким и глубоким стоком. Показано, что в транзисторах с глубоким стоком происходит подавление паразитного туннелирования за счет процесса растекания линий тока в глубь подложки.
item.page.description-other
The parasitic electron tunneling in silicon flash memory elements based on MOSFETs with floating gates is simulated by Monte Carlo method. The dependencies of value of parasitic tunnel current along the transistor’s channel with shallow and deep drains are calculated. It is shown that in transistors with deep drain the parasitic electron tunneling is suppressed by effect of drift current lines spreading into substrate.
Description
Citation
Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло растекания линий тока в элементах флеш-памяти = Monte Carlo simulation of current lines spreading in flash memory cells / О. Г. Жевняк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 314-315.