Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей
Loading...
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20162615
Abstract
Объектом исследования являлись методы формирования полупроводниковых одноэлементных приборных структур широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей. Цель исследования – разработка теоретических основ, физических и технологических принципов формирования полупроводниковых материалов для создания приборных структур фотоэлектрических преобразователей с широким динамическим диапазоном энергетической характеристики. В качестве базовой структуры одноэлементного фотоэлектрического преобразователя для многопараметрических измерений оптического излучения обоснован выбор резистивной и барьерно-резистивной структуры с встречно включенными барьерами на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, легированных глубокой примесью с многозарядными состояниями. Применение разработанных методов формирования полупроводниковых структур и методов их контроля позволяет разработать технологию производства широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей.
item.page.description-other
Description
Citation
Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей [Электронный ресурс] : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20162615 / Белорусский национальный технический университет ; рук. О. К. Гусев ; исполн.: А. А. Бобрикович [и др.]. – Минск : [б. и.], 2020.