Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements
Abstract
В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе функционирования современных элементов флеш-памяти, рассмотрено влияние ряда конструктивно-технологических параметров данных транзисторов на величину паразитных токов, проникающих на плавающий затвор. Показано, что с уменьшением длины проводящего канала, а также глубины залегания истоковой и стоковой областей величина этого тока увеличивается, что необходимо учитывать при проектировании перспективных элементов флеш-памяти.
item.page.description-other
In present paper the effects of constructive parameters on parasitic tunnel current in short-channel MOSFETs with floating gate are studied by Monte Carlo simulation of electron transport. Such transistors are the base of contemporary flash-memory cells. Obtained data show that parasitic current is increased as result of the decreasing of channel length as well as drain region depth.
Description
Citation
Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти = Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements / О. Г. Жевняк, А. В. Борздов, В. М. Борздов // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 226-227.