https://rep.bntu.by/handle/data/157588 Sat, 04 Apr 2026 08:15:10 GMT 2026-04-04T08:15:10Z https://rep.bntu.by/handle/data/157718 Взаимосвязь оптимального значения частоты электростимуляции, величины максимума фазового сдвига и усилия, развиваемого мышцей Осипов, А. Н.; Хазановский, И. О.; Пацеев, А. В.; Пацеев, С. В. Важным моментом в процессе восстановительного лечения заболеваний нервно-мышечного аппарата является электростимуляция. Выбор частотно-временных параметров сигнала и его согласование с электрическими параметрами биологических тканей является одним из основных факторов в практике электростимуляции. Целью данной работы являлась оптимизация параметров электрического воздействия в соответствии с функциональным состоянием мышц. Исследования проводились на двуглавой мышце плеча верхней конечности испытуемого и включали исследование зависимости усилия, развиваемого мышцей, от амплитуды напряжения стимулирующего сигнала и исследование фазочастотной характеристики межэлектродного импеданса двуглавой мышцы плеча верхней конечности испытуемых. Определена взаимосвязь оптимального значения частоты электростимуляции, вызывающей максимальное усилие мышцы, и величины фазового сдвига фазочастотной характеристики тканей. Изучена зависимость усилия, развиваемого мышцей при электростимуляции, от величины амплитуды стимулирующего сигнала при различных значениях частоты электростимуляции. Установлено, что при увеличении амплитуды стимулирующего сигнала увеличивается частота экстремума фазочастотной характеристики биоткани, а соответственно и увеличивается частота электростимуляции, вызывающая максимальное усилие мышц. Результаты работы могут быть использованы при проектировании систем электростимуляции опорно-двигательного аппарата с обратной связью. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://rep.bntu.by/handle/data/157718 2025-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/157714 Метод неразрушающего контроля состояния однофазных и трёхфазных трансформаторов на основе частотных характеристик Громыко, И. Л.; Галушко, В. Н. Cуществуют различные методы диагностики трансформаторов. Анализ используемых методов и диагностических систем указывает на достижение определённой сложности дальнейшего развития существующих методов и диагностических систем. Это обусловлено сложностью входных сигналов, достаточно большим числом параметров, нелинейными множественными динамическими взаимосвязями. Одним из наиболее перспективных видов диагностики, на сегодняшний момент, является анализ частотных характеристик трансформатора. Целью данной работы являлось выявление различных дефектов трансформатора с помощью анализа частотных характеристик. В данной работе для обнаружения дефектов сердечника и обмоток использован анализ частотных характеристик на основе метода трёх вольтметров. В результате проведения серии экспериментов получены импедансные и фазо-частотные характеристики трансформаторов с дефектами сердечника и обмоток. Данные характеристики показывают значительные различия между нормальным и аварийным состояниями трансформаторов. Полученные характеристики в виде изображений являются исходными данными для свёрточной нейронной сети, определяющей вид дефекта. Использование частотных характеристик однофазных и трёхфазных трансформаторов при диагностировании предотказных состояний и отказов позволит создать универсальный программно-аппаратный комплекс диагностики для трансформаторов различных типов и номинальных данных. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://rep.bntu.by/handle/data/157714 2025-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/157712 Коррекция влияния помех на результаты зондовой микроскопии вытянутых объектов с использованием прогнозных оценок рельефа Гуляев, П. В. Корректное измерение длины объектов на изображениях, искажённых воздействием помех, является важной задачей зондовой микроскопии. Существующие методы измерения не в полной мере учитывают специфику конкретной предметной области. Целью настоящей работы являлась разработка нетребовательного к вычислительным ресурсам алгоритма выделения остовов объектов, ориентированного на особенности изображений в сканирующей зондовой микроскопии. Ограниченное быстродействие зондового микроскопа, загрязнение поверхности образца, неидеальность зонда приводят к типовым помехам в виде полос, 1/f шумов, флуктуаций яркости и вызывают дефрагментацию остовов объектов и снижение точности измерений длины. Предложенный в работе метод использует прогнозные оценки рельефа для устранения влияния этих помех. Прогноз определяется на основе экстраполяции информации из столбцов растра уже отсканированной части изображения. Прогнозный интервал равен одному интервалу дискретизации изображения. Совокупность прогнозных оценок формирует прогнозное изображение, которое затем используется при определении длины объектов. Особенность прогнозных изображений заключается в увеличении резкости искажённых помехами областей. Это позволило при выделении объектов с помощью детекторов кривизны дефрагментировать остовы и точнее измерить их длину. Исследования показали, что увеличение интегральной ошибки прогнозирования является признаком необходимости дополнительной обработки изображений от низкочастотных или ударных помех. При этом использование прогнозных изображений снижает относительное отклонение количества нераспознанных остовов и среднее отклонение максимальной измеренной длины. Установлено, что управляющая информация в виде прогнозных оценок может использоваться при обработке изображений в зондовой микроскопии для детектирования и частичного устранения помех. Формирование прогнозных изображений усиливает резкость объектов и повышает вероятность их корректного выделения методами, основанными на анализе изменений функции яркости. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://rep.bntu.by/handle/data/157712 2025-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/157711 Monte Carlo Simulation of Photoresponse in Silicon Photodiodes with p-n-Junction and p-i-n-Structure Borzdov, A. V.; Borzdov, V. M.; Buinouski, D. N.; Petlitsky, A. N. Numerical modeling of semiconductor photodiodes’ electrical characteristics is an important task at the stage of their development and design. In this regard, it should be noted that one of the most promising methods that can be used for this purpose is the ensemble Monte Carlo method, which allows including, along with the dominant mechanisms of charge carriers’ scattering in the device structure, also the processes of impact ionization, which is very important for adequate modeling of a wide class of silicon photodiodes operating in the reverse bias mode. The aim of the work was to study the influence of the impact ionization process on the electrical characteristics of silicon photodiodes with a p-n-junction and a p-i-n-structure operating in the reverse bias mode under the influence of picosecond pulses of visible radiation. Using selfconsistent simulation by the ensemble Monte Carlo method, the electron ionization coefficient in bulk silicon at a crystal lattice temperature of 300 K was calculated and compared with known experimental data. Photoresponse in silicon submicron photodiodes with a p-n-junction and photodiodes with a p-i-n-structure was calculated for different thicknesses of the undoped i-region. It was shown that use of simple models similar to the Keldysh model with constant values of the threshold energy and other parameters for calculating the rate of the impact ionization process did not allow obtaining values of the ionization coefficient matched with experimental data in a wide range of electric field strengths. This result raises the question on the adequacy of the device structures’ electrical characteristics modeling with a non-uniform electric field when using such simple impact ionization models. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://rep.bntu.by/handle/data/157711 2025-01-01T00:00:00Z