<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
<channel>
<title>Материалы конференции по статьям</title>
<link>https://rep.bntu.by/handle/data/124389</link>
<description/>
<pubDate>Tue, 23 Jun 2026 12:30:44 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-06-23T12:30:44Z</dc:date>
<item>
<title>Газочувствительные слои в составе полупроводниковых сенсоров на алюмооксидных подложках</title>
<link>https://rep.bntu.by/handle/data/124659</link>
<description>Газочувствительные слои в составе полупроводниковых сенсоров на алюмооксидных подложках
Реутская, О. Г.; Денисюк, С. В.; Куданович, О. Н.; Лугин, В. Г.
Формирование газочувствительных слоев на алюмооксидных подложках обеспечивает воспроизводимость и стабильность характеристик, а также низкое энергопотребление сенсоров. Методики выбора режимов отжига и способа нанесения тонких пленок влияют на адгезионные свойства элементов конструкции. Получение развитых сплошных полупроводниковых слоев достигается многослойным нанесением оксидов металлов с применением капельных технологических приемов. Диапазон термообработки поверхности чувствительных элементов составляет от 100 °С до 800 °С.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2022 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">https://rep.bntu.by/handle/data/124659</guid>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Влияние концентрации бора в покрытии Al-Cr-B-N на морфологию и шероховатость поверхности</title>
<link>https://rep.bntu.by/handle/data/124657</link>
<description>Влияние концентрации бора в покрытии Al-Cr-B-N на морфологию и шероховатость поверхности
Лапицкая, В. А.; Кузнецова, Т. А.; Хабарова, А. В.; Чижик, С. А.; Вархолински, Б.; Гилевич, А.
С помощью атомно-силовой микроскопии проведены исследования влияния содержания бора в покрытии Al-Cr-B-N на морфологию, шероховатость и силу адгезии поверхности. На поверхности покрытия без бора присутствует большое количество частиц и конгламератов. Добавление в покрытие бора (10 и 20 %) приводит к увеличению размеров ячеек на поверхности покрытия, снижению количества частиц, росту шероховатости и силы адгезии.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2022 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">https://rep.bntu.by/handle/data/124657</guid>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе</title>
<link>https://rep.bntu.by/handle/data/124661</link>
<description>Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе
Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.
Пленки SiNx с механическими напряжениями в диапазоне от –10 до –625 МПа синтезированы в реакторе индуктивно-связанной плазмы (ICP) из смеси «SiH4 – N2 – Ar». Обогащение нитридных пленок азотом приводит к снижению механических напряжений до –10 МПа. При подъеме мощности ICP-источника механические напряжения возрастают вплоть до –625 МПа при 800 Вт. Варьирование температуры осаждения от 25 до 350 ºС существенно не влияет на уровень напряжений и показатель преломления, а также на скорость роста SiNx. Оценен дрейф остаточных напряжений в течение трех недель после осаждения, а также содержание кислорода в пленках SiNx в зависимости от режима осаждения.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2022 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">https://rep.bntu.by/handle/data/124661</guid>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item>
<title>Математическая модель процесса определения плотности поверхностных состояний</title>
<link>https://rep.bntu.by/handle/data/124660</link>
<description>Математическая модель процесса определения плотности поверхностных состояний
Шарибаев, Н. Ю.; Джураев, Ш. С.; Турсунов, А. А.; Муллабоева, Н. Ш.
Вероятности опустошения поверхностных состояний зависят от времени и от природы самого центра. Для определения плотности поверхностных состояний приводится сравнение функции вероятности опустошения энергетического уровня &#120588; (t, E, T) со ступенчатой функцией Ферми-Дирака. Исследуется производная от функции &#120588; (t, E, T) по энергии, и сравнивается дельта – функцией Дирака. Показано, что производная от вероятности опустошения энергетического уровня по энергии GN (E0, E, T) при низких температурах превращается в дельта – функцию Дирака. Использование этого факта дало возможность предложить математическую модель определения плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник – диэлектрик в приборах с зарядовой связью ПЗС.
</description>
<pubDate>Sat, 01 Jan 2022 00:00:00 GMT</pubDate>
<guid isPermaLink="false">https://rep.bntu.by/handle/data/124660</guid>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</channel>
</rss>
