https://rep.bntu.by/handle/data/22948 2026-04-06T02:48:37Z https://rep.bntu.by/handle/data/8840 Оценка области влияния загрязненного участка почвы при решении задач радиационного мониторинга методом «in situ» Жуковский, А. И.; Кутень, С. А.; Хрущинский, А. А.; Толкачев, А. Н.; Гузов, В. Д.; Кожемякин, В. А.; Чудаков, В. А. Рассчитана интенсивность нерассеянных гамма-квантов, поглощенных в цилиндрическом детекторе, помещенном над равномерно загрязненной почвой. Установлена зависимость радиуса области влияния для сцинтилляционного детектора в зависимости от глубины залегания радионуклидов цезия на примере почв региона Тохоку, Япония. 2014-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/8839 Оценка качества изображений мультифокальной дифракционной линзы Колобродов, В. Г.; Тымчик, Г. С.; Серый, Е. А. Предложен метод оценки качества изображений, создаваемых трифокальной дифракционной линзой при наличии фоновой освещенности. Приведена модель фоновой составляющей с неравномерным распределением интенсивности. Продемонстрировано влияние сферической аберрации дифракционной линзы и световой эффективности в рабочем порядке на снижение контраста изображения. 2014-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/8838 Деградация параметров фотопреобразователей солнечной энергии на основе полупроводниковых твердых растворов Cu(In,Ga)Se2 при электронном облучении Мудрый, А. В.; Рефахати, Н.; Живулько, В. Д.; Якушев, М. В.; Мартин, Р. В. Методом испарения элементов Cu, In, Ga и Se из независимых источников на натрийсодержащих стеклянных подложках, покрытых слоем молибдена, выращены тонкие поликристаллические пленки Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Изучено влияние электронного облучения на электрические и оптические свойства тонких пленок CIGS и солнечных элементов со структурой ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/стекло. Установлено, что деградация электрических параметров солнечных элементов (напряжения холостого хода, плотности тока короткого замыкания и коэффициента полезного действия) обусловлена образованием радиационных дефектов (рекомбинационных центров) с глубокими энергетическими уровнями в запрещенной зоне базовых слоев CIGS. Обнаружено, что после электронного облучения значительно уменьшается интенсивность близкраевой люминесценции в области 1,1 эВ и появляются полосы люминесценции с максимумами 0,93 и 0,75 эВ. 2014-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/8837 Метод оценки частотных свойства предварительно термоизолированных труб для мониторинга состояния теплосетей Талецкий, Е. Н. Предложен приближенный метод предварительной оценки частотных свойств неприспособленной направляющей системы для организации мониторинга состояния предварительно термоизолированных труб. Направляющая система образована элементами труб, помещенных в среду с потерями (грунт). Проведен теоретический анализ, приведены частотные зависимости компонентов постоянной распространения – коэффициента затухания и коэффициента фазы, позволяющие использовать эти характеристики системы для мониторинга состояния теплосетей. 2014-01-01T00:00:00Z