https://rep.bntu.by/handle/data/163958 2026-04-05T20:51:39Z https://rep.bntu.by/handle/data/163965 Нейронная сеть прогнозирования теплового потребления здания Колосов, М. В.; Липовка, А. Ю.; Липовка, Ю. Л. Прогнозирование спроса на тепловую энергию необходимо для достижения оптимального управления энергопотреблением здания. Целью данной статьи является выявление важнейших факторов, влияющих на точность прогнозирования теплопотребления зданий с применением нейронных сетей, что соответствует национальной стратегии развития искусственного интеллекта РФ. В статье исследуется зависимость точности моделирования от различных комбинаций параметров окружающей среды, а также от применения разных функций активации нейронных сетей, широко используемых в практике создания систем искусственного интеллекта. Продемонстрировано, что модели машинного обучения, основанные на большом количестве данных о тепловом потреблении, имеют большие возможности в прогнозировании реальных моделей и тенденций потребления, а значение средней абсолютной процентной ошибки лучшей модели прогнозирования сопоставимо с величиной максимального предела допускаемой относительной погрешности измерений тепловой энергии измерительным каналом теплосчетчика. На основе данных, полученных с помощью разработанной системы дистанционного мониторинга индивидуальных тепловых пунктов зданий, продемонстрировано сравнение действительных значений теплового потребления и величин теплового потребления, полученных с использованием модели прогнозирования. Экономия энергии, теплоносителя и прочего на объекте не может быть измерена напрямую, поскольку она представляет собой отсутствие потребления. Поэтому универсальный подход с использованием искусственного интеллекта для технически обоснованного и экономически целесообразного метода прогнозирования результатов применения энергосберегающих решений для сравнения измеренного энергопотребления до и после внедрения энергоэффективного мероприятия может позволить повысить эффективность принятия решений в сфере сбережения энергетических ресурсов. 2026-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/163964 Расчет влияния отравления на производительность пассивного каталитического рекомбинатора водорода локализующей системы безопасности АЭС с ВВЭР Сорокин, В. В. На современной атомной электростанции предусмотрены локализующие системы безопасности для удержания при аварии радиоактивных веществ и ионизирующего излучения в предусмотренных проектом границах. Для защиты границы применяется система удаления водорода, включающая пассивные автокаталитические рекомбинаторы. Система предотвращает образование горючих и взрывоопасных концентраций водорода за счет превращения последнего в воду в ходе реакции с кислородом воздуха на катализаторе. Основной материал катализатора – обычно платина с долей палладия. Наряду с водородом аварийная среда содержит специфические вещества, известные как каталитические яды. Яды уменьшают активность катализатора и снижают производительность рекомбинаторов. Для платинового катализатора опасны вещества-доноры пары электронов, например теллур. Количества выделившихся каталитических ядов на стадии плавления активной зоны достаточно для снижения активности катализатора. Уровень снижения оценен расчетами. Яды в аэрозольной форме опасны в зоне отрывных течений у поверхности каталитического элемента. Яды в атомарной (молекулярной) форме опасны для катализатора по всей длине элемента. Яд вызывает постепенное снижение производительности рекомбинаторов с ростом количества прореагировавшего водорода. Скорость отравления зависит от типа и концентрации яда, массы активной платины на единице поверхности катализатора. Расчетом показана возможность снижения производительности пассивного каталитического рекомбинатора водорода вследствие отравления катализатора в условиях аварии на АЭС с ВВЭР. Представлены количественные данные по отравлению рекомбинаторов типа FR и РВК. Эффект отравления следует учитывать при выборе производительности системы удаления водорода локализующей системы безопасности энергоблока АЭС с ВВЭР. 2026-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/163963 Технологии улучшения эксплуатационных характеристик динамических газожидкостных теплоэнергетических установок при управляемом лазерном индуцировании регулируемых локальных конфигураций топологических микро- и наноструктур на внутренней металлической поверхности рабочих камер. Часть 2 Рыжова, Т. В.; Тумаркина, Д. Д.; Бухаров, Д. Н.; Самышкин, В. Д.; Лелекова, А. Ф.; Аракелян, М. М.; Кучерик, А. О.; Аракелян, С. М. Во второй части статьи проведено исследование и моделирование электрофизических характеристик деталей разного предназначения с определенной лазерно-индуцированной конфигурацией микро- и наноструктурных особенностей на поверхности изделия. Актуальность данного рассмотрения связана с тем, что при функционировании любой энергетической установки неотъемлемой ее частью являются значения ее электрофизических характеристик. Проведенные исследования позволяют управлять ими как в подводимой платформе собственно электропитания от соответствующих генераторов для установки, так и в отводимой от нее энергии для обеспечения работы соответствующих блоков, электропитание которых осуществляется энергоустановками разного класса при их функционировании в требуемых режимах, включая и экстремальные динамические режимы эксплуатации. В исследовании речь идет конкретно о демонстрационных схемах с прототипами систем с использованием микросвитков 1D-структур диоксида титана в металлоуглеродных соединениях (углерод – золото) в условиях цепочного С–Au легирования. При этом была реализована трехэтапная схема с использованием лазерной абляции из титановой мишени с синтезом тонкой пористой пленки диоксида титана и ее осаждением на демонстрационную подложку из кварцевого стекла. Далее производился ввод линейных цепочек углерода, стабилизированных наночастицами золота по краям линейных цепочек, в матрицу пористой пленки диоксида титана струйным распылением и реализовывалось формирование массива микросвитков, получаемого с помощью механического воздействия. Проведено математическое и компьютерное моделирование топологических микро и наноструктур на поверхности металлических комплексов с управляемыми при лазерном воздействии конфигурациями. Выполненный анализ позволяет сделать вывод, на основе предложенных процедур с процессами регулирования топологической структурой для рассмотренных поверхностных объектов при их лазерном синтезе, о перспективности данного направления, что связано с возможностью управления функциональными поверхностными характеристиками в требуемом направлении, в частности по их электрофизическим параметрам для различных изделий, в устройствах, используемых в энергетике. 2026-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/163962 Теория биполярного транзистора с учетом строения твердого тела и наличия отрицательных ионов. Часть 2. Формирование электрического тока смещения и вольт-амперной характеристики в биполярном транзисторе Гречихин, Л. И. Ионизация отрицательных ионов в столбообразных пустотах определяется температурой, а также внешней приложенной напряженностью электрического поля. Вследствие ионизации отрицательных ионов в зоне проводимости полупроводниковой основы образуются свободные электроны без их движения с образованием тока проводимости. Такие свободные электроны в совокупности создают внутреннее электрическое поле, которое изменяется из-за процессов ионизации и рекомбинации. Изменяющееся электрическое поле совершает колебания в инфракрасной области спектра, что является причиной возникновения электрического тока смещения. Величина тока смещения обусловлена приложенным напряжением между эмиттером и коллектором, но достаточно сложным образом. Оптимальное приложенное напряжение составляет ~6 В. При этом напряжении рассчитанный электрический ток в эмиттере достигает миллиампер, а в базе – микроампер, что соответствует экспериментальным данным. Непрерывное колебание электрического поля вследствие ионизации и рекомбинации отрицательных ионов в столбообразной пустоте приводит к разогреву транзистора инфракрасным излучением. Оптимальные условия работы транзистора реализуются, когда на базу подается дополнительное напряжение 2,5–3,0 В. Для уменьшения температуры разогрева транзистора создают массивный коллектор, который заземляется. 2026-01-01T00:00:00Z