https://rep.bntu.by/handle/data/151462 2026-04-04T08:15:39Z https://rep.bntu.by/handle/data/151474 Стабилизация температурных условий при определении плотности жидкости методом гидростатического взвешивания Баковец, Н. В.; Козадаев, К. В. При оценке качества продукции, особенно нефти и нефтепродуктов, наряду с другими параметрами широко используется значение плотности. Данные о плотности являются основополагающими для исследования свойств жидкостей, их идентификации и определения степени чистоты. Они также необходимы для косвенной оценки с определённой степенью точности некоторых других свойств жидкости, таких как удельный вес, тепловое расширение или сжатие, масса известного объёма жидкости и т. д. В свою очередь, от точности определения плотности зависит правильность принимаемого решения при технологическом контроле качества выпускаемой продукции. Определение плотности жидкости с высокой точностью требует поддержания стабильных температурных условий в процессе измерений. Цель работы – установить влияние стабильности температурного режима на воспроизведение и передачу единицы плотности жидкости. Для стабилизации температуры предложено техническое решение, реализованное в виде климатической камеры, внутрь которой помещено эталонное оборудование. Проведено исследование температурных условий в технологической камере. Установлено, что благодаря использованным техническим решениям влияние условий окружающей среды на изменение температуры исследуемой жидкости является величиной пренебрежимо малой. 2024-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/151473 Wafer-Level Packaging of Microelectromechanical Systems Based on Frame Structure Barbin, E. S.; Kulinich, I. V.; Nesterenko, T. G.; Koleda, A. N.; Shesterikov, E. V.; Baranov, P. F.; Il’yaschenko, D. P. Modern microelectromechanical systems (MEMS) are devices that incorporate microelectronic components and micromechanical structures on a single chip. Packaging is a mandatory stage in MEMS manufacturing. It ensures mechanical protection, sealing and transmission of electric energy and signals. The present work was aimed at developing a MEMS packaging method as a part of the consolidated manufacturing process. The method is developed on the example of a microwave MEMS switch. The switch manufacturing scheme includes conventional technologies used for producing gallium arsenide integrated circuits: optical lithography, liquid etching, electron-beam and magnetron deposition of metallic, resistive and dielectric films. The work presents a new inter-plate MEMS packaging based on a frame structure with a passivating film. The main purpose of the package frame layer is mechanical support for an upper layer of the sealing material. The frame layer should have the structure allowing for unimpeded removal of the sacrificial photoresist and be impermeable for the sealant. To satisfy the requirements stated, a metallic thin copper-film spatial frame was fabricated by galvanic deposition. The frame structure is a geodesic dome comprised of a complex network of triangle cells arranged in rows. The connected triangles create a self-supporting durable framework. The measurement and modeling results demonstrate that the round frame structure is more durable than a square frame with the same maximum cell dimensions. The stress-strain state for the round framework considerably alters depending on the number of rows of triangle cells. In addition to the mechanical support, the cell structure of the framework – with adequate selection of cell dimensions, solvent and sealant viscosities – allows for unimpeded penetration of the solvent (N-methyl-2-pyrrolidone, NMP) and removal of ma-P1225 photoresist sacrificial layers. At the same time, the layer structure is impermeable for the sealant (benzocyclobutene, BCB). The proposed MEMS switch packaging enables mass fabrication of GaAs integrated circuits in a single process, which expands their frequency range. The new plate-level packaging technology is absolutely compatible with MEMS fabrication technology without specific materials and equipment which reduces the dimensions and cost of MEMS. 2024-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/151472 Control of Integrated Circuits Crystals' Surface Microrelief and Defects of Hetero- and Submicrostructures by the Atomic Force Microscopy Method Lapitskaya, V. А.; Chizhik, S. А.; Lutsenko, Е. V.; Solovjov, J. А.; Nasevich, А. А.; Liutsko, K. S.; Petlitskaya, Т. V.; Makarevich, V. B.; Yu, Guangbin The aim of the work was to study the structure and defects of a channel transistor with two types of conductivity (p and n), the submicrostructures based on nickel silicide films, and the seed layers based on AlN using atomic force microscopy (including conductive or electric force method, which allow one to study the electrical conductivity of the material surface). The influence of the manufacturing technology and local oxide formation on the relief and structure of the p- and n-type transistor was established. The local oxide is necessary for the electrical isolation of the transistors from each other. The surface roughness is higher on the surface and outside the p-channel transistor than on the n-channel transistor. When examining the AlN layers both in the topography mode and in the adhesion mode, defects in the form of pores were revealed, which are places of electrical breakdowns, which worsens the properties of the such heterostructures. With an increase in the temperature and time of nitriding, the defects of the AlN layers significantly decrease. The conductive areas on the surface of the nickel silicides after rapid thermal treatment at 300 and 400 °C using electric force microscopy were detected, which shows incomplete formation of nickel silicide during the treatment. Thus, the efficiency of the atomic force microscopy method using a specialized conductive technique as a method for monitoring microelectronic components was demonstrated. 2024-01-01T00:00:00Z https://rep.bntu.by/handle/data/151471 Влияние уровня дефектного сопротивления изоляции обмоток электрических машин на параметры тока холостого хода Исаев, А. В.; Суходолов, Ю. В.; Сизиков, С. В.; Ломтев, А. А.; Лычковский, В. А. Методы диагностики, которые поменяются в настоящее время для контроля за состоянием обмоток электрических машин, не позволяют выявлять дефектообразование в них на ранних стадиях развития. А особенно эта проблема актуальна для оборудования, находящегося непосредственно в режиме его эксплуатации. Целью работы являлось рассмотрение и оценка возможности метода, который на основе анализа параметров и характеристик тока холостого хода позволит характеризовать состояния токоведущих частей обмоток диагностируемых электрических машин. В работе представлены результаты экспериментальных исследований закономерностей влияния уровня дефектного сопротивления межвитковой изоляции в обмотках электрических машин на параметры тока холостого хода, в том числе на особенности изменения параметров его спектральных составляющих. Так же в статье определены аналитические зависимости полученных характеристик влияния и анализируются факторы, определяющие погрешности измерения разрабатываемым методом. Представленный метод на основе анализа параметров спектральных составляющих тока холостого хода предназначен для измерения сопротивления межвитковой изоляции токоведущих частей в обмотках электрических машин в условиях их функционирования, с возможностью фиксирования начала дефектообразования, что позволит в режиме реального времени оценивать его работоспособное, предотказное и исправное состояние. 2024-01-01T00:00:00Z