https://rep.bntu.by/handle/data/47604 2026-04-22T10:24:55Z 2026-04-22T10:24:55Z Крень, А. П. Мацулевич, О. В. Делендик, М. Н. https://rep.bntu.by/handle/data/47618 2022-09-06T16:01:21Z 2018-01-01T00:00:00Z

Оценка погрешности определения физико-механических характеристик материалов при их контроле методом индентирования Крень, А. П.; Мацулевич, О. В.; Делендик, М. Н. Активное внедрение в практику контроля методов индентирования, в частности для измерения физико-механических характеристик металлов, полимеров, биологических тканей требует разработки методик оценки погрешности получаемых результатов. При этом сложившаяся традиционная система оценки погрешности с применением мер не всегда пригодна для использования в испытательных и научно-исследовательских лабораториях. Целью данной работы являлась разработка применимой на практике и опирающейся на отечественную нормативную базу методики оценки погрешности косвенных измерений физико-механических характеристик материалов и проверка предлагаемого подхода с использованием экспериментальных значений твердости и модуля упругости, полученных при статическом индентировании для различных металлов. Показано, что поскольку первичным источником информации о материале является диаграмма вдавливания, представляющая собой зависимость нагрузки от глубины внедрения индентора в исследуемый материал, то подтверждение метрологических характеристик измерительной техники, использующейся для индентирования, лучше осуществлять по параметрам развиваемого усилия и перемещения, а точность определения свойств оценивать через погрешность косвенных измерений. Приведены основные формулы для расчета твердости и модуля упругости, позволяющие установить величины, наибольшим образом влияющие на величину погрешности. Расчет погрешности проведен на основе определяемых границ случайной и неисключенной систематической погрешности. Достоинством разработанной методики является тот факт, что оценка точности измерений физико-механических характеристик производится на основании экспериментальных данных и не требует создания дополнительного метрологического обеспечения. Предложенный подход представляется целесообразным распространить на определение погрешности других характеристик: предела текучести, показателя деформационного упрочнения, ползучести, релаксации, определяемых методами индентирования.

2018-01-01T00:00:00Z Сенько, С. Ф. Зеленин, В. А. https://rep.bntu.by/handle/data/47617 2022-10-18T16:46:43Z 2018-01-01T00:00:00Z

Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах Сенько, С. Ф.; Зеленин, В. А. Распределение остаточных напряжений в многослойной полупроводниковой структуре носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и выход годных приборов. В связи с этим их исследование является одной из актуальных задач современного приборостроения. Цель настоящей работы заключалась в разработке методов оценки фактического распределения остаточных напряжений как по площади полупроводниковой структуры, так и в ее элементах. Оценку распределения остаточных напряжений по площади структуры проводили на основе определения локальной деформации отдельных участков этой структуры методом оптической топографии. В основу методики положено последовательное измерение интенсивности элементов светотеневого изображения структуры вдоль выбранного направления с последующим расчетом микрогеометрического профиля и радиуса кривизны. Оценку остаточных напряжений в топологических элементах системы Si–SiO₂ проводили путем расчета интерференционных картин, полученных в зазоре пленка−подложка после отделения края пленки от подложки по периметру вскрытого окна. С привлечением метода конечных элементов получены аналитические выражения, связывающие характеристики изображений полупроводниковых структур с величиной их деформации, что позволяет с привлечением известных соотношений вычислить локальные механические напряжения выбранного участка структуры. Приведены примеры расчета реальных структур. Предложенные методики расчета остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах позволяют учитывать характер и форму изгиба подложек, а также оценить их величину в топологических элементах реальных полупроводниковых приборов.

2018-01-01T00:00:00Z Маркова, Л. В. Коледа, В. В. Колодинская, Н. С. https://rep.bntu.by/handle/data/47615 2022-10-18T16:46:35Z 2018-01-01T00:00:00Z

Применение метода дифракции обратно рассеянных электронов в исследованиях микроструктуры при определении причин разрушения металлических конструкций Маркова, Л. В.; Коледа, В. В.; Колодинская, Н. С. Применение метода дифракции обратно рассеянных электронов позволяет по-новому взглянуть на структурные изменения материала в целом и на процессы разрушения металлических конструкций в частности. Целью данной работы являлось применение метода дифракции обратно рассеянных электронов для выявления характерных отличительных особенностей строения материала на участках под изломом и вдали от него. Дифракция обратно рассеянных электронов является методом, который позволяет определить ориентировки индивидуальных зерен, локальную текстуру, а также идентифицировать фазы в исследуемом образце. Этим методом можно определить локальные и общие деформации, количество рекристаллизованных и деформированных зерен, размер и разориентацию зерен и др. Представлены результаты исследования фрагмента мачты агрегата для бурения и ремонта скважин грузоподъемностью 200 т (АРС-200) с установлением характерных структурных различий между участками под изломом и вдали от него. Установлено появление и развитие субзеренной структуры на участке под изломом. Показано, что материал мачты изготавливался из проката, для которого не проводили дополнительной термообработки, и разрушение могло произойти практически в любой точке.

2018-01-01T00:00:00Z Conquet, B. Zambrano, L. F. Artyukhina, N. K. Fiodоrtsev, R. V. Silie, A. R. https://rep.bntu.by/handle/data/47612 2023-06-20T13:27:33Z 2018-01-01T00:00:00Z

Algorithm and mathematical model for geometric positioning of segments on aspherical composite mirror Conquet, B.; Zambrano, L. F.; Artyukhina, N. K.; Fiodоrtsev, R. V.; Silie, A. R. In recent years, the largest terrestrial and orbital telescopes operating in a wide spectral range of wavelengths use the technology of segmented composite elements to form the main mirror. This approach allows: to expand the spectral operating range from 0.2 to 11.0 μm and to increase the diameter of the entrance pupil of the receiving optical system, while maintaining the optimal value of the exponent mₛ – mass per unit area. Two variants of adjusting the position of mirror segments are considered when forming an aspherical surface of the second order, with respect to the base surface of the nearest sphere, including geometrical and opto-technical positioning. The purpose of the research was to develop an algorithm for solving the problem of geometric positioning of hexagonal segments of a mirror telescope, constructing an optimal circuit for traversing elements when aligning to the nearest radius to an aspherical surface, and also to program the output calculation parameters to verify the adequacy of the results obtained. Various methods for forming arrays from regular hexagonal segments with equal air gaps between them are considered. The variant of construction of arrays through concentric rings of an equal step is offered. A sequential three-step method for distributing mosaic segments is presented when performing calculations for aligning the aspherical surface: multipath linear; multipath point; block trapezoidal. In the course of mathematical modeling an algorithm was developed to solve the problem of geometric positioning of flat hexagonal segments of a mirror telescope. In the Python programming language, program loops are designed to form the data array necessary to construct a specular reflective surface of a given aperture. In the software package Zemax, the convergence of optical beams from flat hexagonal elements to the central region of the aspherical surface is verified.

2018-01-01T00:00:00Z