https://rep.bntu.by/handle/data/153780 2026-04-04T08:15:08Z 2026-04-04T08:15:08Z Бринкевич, Д. И. Гринюк, Е. В. Просолович, В. С. Бринкевич, С. Д. Колос, В. В. Зубова, О. А. https://rep.bntu.by/handle/data/153787 2025-03-27T16:00:45Z 2025-01-01T00:00:00Z

Отражательно-абсорбционная ИК Фурье-спектроскопия фоторезистивных плёнок на кремнии Бринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.; Колос, В. В.; Зубова, О. А. Проведён сравнительный анализ применения метода отражательно-абсорбционной спектроскопии с использованием заводской приставки диффузного отражения DRIFT ИК-спектрофотометра ALPHA и метода нарушенного полного внутреннего отражения для исследования оптических характеристик плёнок фоторезистов ФП9120, AZ nLOF 2020, 2070, 5510 и KMP E3502 толщиной 0,99– 6,0 мкм, сформированных на пластинах монокристаллического кремния методом центрифугирования. В отражательно-абсорбционных ИК спектрах полосы поглощения наблюдаются на фоне интерференционных полос, что позволяет определять показатель преломления фоторезиста при известной геометрической толщине плёнки. Показано, что метод отражательно-абсорбционной спектроскопии с использованием заводской приставки диффузного отражения DRIFT имеет как более высокую чувствительность по сравнению с методом нарушенного полного внутреннего отражения, так и пригоден для проведения неразрушающего межоперационного контроля в технологии изготовления приборов полупроводниковой электроники. Наиболее интенсивными в отражательно-абсорбционных спектрах фоторезистивных плёнок AZ nLOF и KMP E3502 являются полосы валентных колебаний ароматического кольца (≈ 1500 см-1), пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца (сдвоенный максимум ≈ 1595 и 1610 см-1) и полоса с максимумом ≈ 1430 см-1, обусловленная колебаниями бензольного кольца, связанного с СН2-мостиком. Установлено, что различия отражательно-абсорбционных спектров негативных фоторезистов разных производителей – MicroChemicals (AZ nLOF серии 2000) и Kempur Microelectronics (KMP E3502) – связаны с различными технологиями получения фенолформальдегидной смолы и наличием в плёнках остаточного растворителя.

2025-01-01T00:00:00Z Кulchenkov, E. A. Demidov, A. A. Rybalka, S. B. https://rep.bntu.by/handle/data/153786 2025-03-27T16:00:44Z 2025-01-01T00:00:00Z

Study of the Influence of the Voltage Regulator Integrated Circuit Topology on its Radiation Hardness Кulchenkov, E. A.; Demidov, A. A.; Rybalka, S. B. Method of recording responses to radiation exposure is considered using the X-ray complex RIK-0401 and it is shown that for linear voltage regulators integrated circuits it allows diagnosing presence of changes in their topology. Four types of integrated circuits (ICs) of IS-LS1-1.8V type have been studied. They are equivalent in their main electrical parameters, but have differences in the output key design (vertical transistors with different base wiring), current mirrors and differential stages. ICs have modified design of the output key base: 1) vertical p-n-p-structures (Type 1); 2) mixed (lateral+vertical) p-n-p-structures (Type 2); 3) design as in the foreign analogue and vertical p-n-p-structures (Type 3); 4) design as in the foreign analogue and mixed (lateral+vertical) p-n-p-structures (Type 4). It has been found that the highest radiation hardness to the total ionizing dose effects is demonstrated by samples of Type 1 and Type 2. RADON-23 laser complex (with a maximum energy density of 200 mJ/cm2) has been used for examination of voltage regulator samples to impulse ionizing radiation hardness. The thyristor effect has not been fixed in all studied samples of Type 1–4. Results of the research allow developing methods for increasing the radiation hardness of the IS-LS1-1.8V by varying the topology of microcircuits and choosing the most advantageous option for manufacturing the output key.

2025-01-01T00:00:00Z Бокова, Т. А. Мелузов, А. Г. Волков, Н. С. Сумин, Р. В. Погорелов, М. Д. Зырянова, Т. К. https://rep.bntu.by/handle/data/153785 2025-03-27T16:00:44Z 2025-01-01T00:00:00Z

Приборы и методы контроля примесей в тяжёлых жидкометаллических теплоносителях Бокова, Т. А.; Мелузов, А. Г.; Волков, Н. С.; Сумин, Р. В.; Погорелов, М. Д.; Зырянова, Т. К. Одна из ключевых проблем эксплуатации реакторов на быстрых нейтронах с охлаждением тяжёлым жидкометаллическим теплоносителем заключается в образовании и накоплении различных отложений. При проведении ремонтных работ эти отложения усложняют процесс восстановления оборудования. Это приводит к сокращению срока службы и снижению эффективности установки в целом. За исключением случаев разрушения активной зоны, процессы образования и перемещения примесей в контуре с тяжёлым жидкометаллическим теплоносителем протекают со временем довольно медленно. Соответственно, важным аспектом работы является время от запроса до получения полной информации о состоянии системы. Целью работы являлся контроль состава, количества и состояния примесей во всех возможных состояниях (присутствующих в виде раствора в тяжёлом жидкометаллическом теплоносителе, пассивированных конгломератов на внутренних поверхностях контура, а также на свободной поверхности тяжёлого жидкометаллического теплоносителя); разработка набора устройств, позволяющих контролировать эти процессы. Рассмотрены процессы массообмена и массопереноса в контуре с учётом влияния образующихся примесей, влияющих на состояние системы. Предложены к использованию секторные системы контроля, позволяющие оперативно и достоверно проводить контроль примеси и их состава.

2025-01-01T00:00:00Z Zharin, A. L. Gasenkova, I. V. Tyavlovsky, A. K. Mukhurov, N. I. Spitski, S. I. https://rep.bntu.by/handle/data/153784 2025-03-27T16:00:42Z 2025-01-01T00:00:00Z

Detection of Hidden Defects Induced by Thermomechanical Processing of Aluminum Substrates for Sensor Devices Using a Scanning Kelvin Probe Zharin, A. L.; Gasenkova, I. V.; Tyavlovsky, A. K.; Mukhurov, N. I.; Spitski, S. I. The object of the study was aluminum substrates for creating sensor devices based on anodic aluminum oxide, which underwent mechanical processing in the form of grinding and straightening. The subject of the study was the detection of residual mechanical stresses and other surface defects to assess the quality of this processing using the scanning Kelvin probe technique. The technique applied allows for the effective detection of residual plastic deformations of aluminum substrates resulting from their mechanical processing with a resolution sufficient to detect mechanical stresses associated with individual roughnesses.

2025-01-01T00:00:00Z