<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Материалы конференции по статьям</title>
<link href="https://rep.bntu.by/handle/data/124389" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>https://rep.bntu.by/handle/data/124389</id>
<updated>2026-06-23T12:30:42Z</updated>
<dc:date>2026-06-23T12:30:42Z</dc:date>
<entry>
<title>Газочувствительные слои в составе полупроводниковых сенсоров на алюмооксидных подложках</title>
<link href="https://rep.bntu.by/handle/data/124659" rel="alternate"/>
<author>
<name>Реутская, О. Г.</name>
</author>
<author>
<name>Денисюк, С. В.</name>
</author>
<author>
<name>Куданович, О. Н.</name>
</author>
<author>
<name>Лугин, В. Г.</name>
</author>
<id>https://rep.bntu.by/handle/data/124659</id>
<updated>2022-12-28T16:02:39Z</updated>
<published>2022-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Газочувствительные слои в составе полупроводниковых сенсоров на алюмооксидных подложках
Реутская, О. Г.; Денисюк, С. В.; Куданович, О. Н.; Лугин, В. Г.
Формирование газочувствительных слоев на алюмооксидных подложках обеспечивает воспроизводимость и стабильность характеристик, а также низкое энергопотребление сенсоров. Методики выбора режимов отжига и способа нанесения тонких пленок влияют на адгезионные свойства элементов конструкции. Получение развитых сплошных полупроводниковых слоев достигается многослойным нанесением оксидов металлов с применением капельных технологических приемов. Диапазон термообработки поверхности чувствительных элементов составляет от 100 °С до 800 °С.
</summary>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Влияние концентрации бора в покрытии Al-Cr-B-N на морфологию и шероховатость поверхности</title>
<link href="https://rep.bntu.by/handle/data/124657" rel="alternate"/>
<author>
<name>Лапицкая, В. А.</name>
</author>
<author>
<name>Кузнецова, Т. А.</name>
</author>
<author>
<name>Хабарова, А. В.</name>
</author>
<author>
<name>Чижик, С. А.</name>
</author>
<author>
<name>Вархолински, Б.</name>
</author>
<author>
<name>Гилевич, А.</name>
</author>
<id>https://rep.bntu.by/handle/data/124657</id>
<updated>2022-12-28T16:02:40Z</updated>
<published>2022-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Влияние концентрации бора в покрытии Al-Cr-B-N на морфологию и шероховатость поверхности
Лапицкая, В. А.; Кузнецова, Т. А.; Хабарова, А. В.; Чижик, С. А.; Вархолински, Б.; Гилевич, А.
С помощью атомно-силовой микроскопии проведены исследования влияния содержания бора в покрытии Al-Cr-B-N на морфологию, шероховатость и силу адгезии поверхности. На поверхности покрытия без бора присутствует большое количество частиц и конгламератов. Добавление в покрытие бора (10 и 20 %) приводит к увеличению размеров ячеек на поверхности покрытия, снижению количества частиц, росту шероховатости и силы адгезии.
</summary>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе</title>
<link href="https://rep.bntu.by/handle/data/124661" rel="alternate"/>
<author>
<name>Ковальчук, Н. С.</name>
</author>
<author>
<name>Демидович, С. А.</name>
</author>
<author>
<name>Комаров, Ф. Ф.</name>
</author>
<author>
<name>Власукова, Л. А.</name>
</author>
<author>
<name>Пархоменко, И. Н.</name>
</author>
<id>https://rep.bntu.by/handle/data/124661</id>
<updated>2022-12-28T16:02:40Z</updated>
<published>2022-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Пленки SinX с низкими механическими напряжениями для микросистемных применений, синтезированные в ICP-реакторе
Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.
Пленки SiNx с механическими напряжениями в диапазоне от –10 до –625 МПа синтезированы в реакторе индуктивно-связанной плазмы (ICP) из смеси «SiH4 – N2 – Ar». Обогащение нитридных пленок азотом приводит к снижению механических напряжений до –10 МПа. При подъеме мощности ICP-источника механические напряжения возрастают вплоть до –625 МПа при 800 Вт. Варьирование температуры осаждения от 25 до 350 ºС существенно не влияет на уровень напряжений и показатель преломления, а также на скорость роста SiNx. Оценен дрейф остаточных напряжений в течение трех недель после осаждения, а также содержание кислорода в пленках SiNx в зависимости от режима осаждения.
</summary>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Математическая модель процесса определения плотности поверхностных состояний</title>
<link href="https://rep.bntu.by/handle/data/124660" rel="alternate"/>
<author>
<name>Шарибаев, Н. Ю.</name>
</author>
<author>
<name>Джураев, Ш. С.</name>
</author>
<author>
<name>Турсунов, А. А.</name>
</author>
<author>
<name>Муллабоева, Н. Ш.</name>
</author>
<id>https://rep.bntu.by/handle/data/124660</id>
<updated>2022-12-28T16:02:42Z</updated>
<published>2022-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Математическая модель процесса определения плотности поверхностных состояний
Шарибаев, Н. Ю.; Джураев, Ш. С.; Турсунов, А. А.; Муллабоева, Н. Ш.
Вероятности опустошения поверхностных состояний зависят от времени и от природы самого центра. Для определения плотности поверхностных состояний приводится сравнение функции вероятности опустошения энергетического уровня &#120588; (t, E, T) со ступенчатой функцией Ферми-Дирака. Исследуется производная от функции &#120588; (t, E, T) по энергии, и сравнивается дельта – функцией Дирака. Показано, что производная от вероятности опустошения энергетического уровня по энергии GN (E0, E, T) при низких температурах превращается в дельта – функцию Дирака. Использование этого факта дало возможность предложить математическую модель определения плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник – диэлектрик в приборах с зарядовой связью ПЗС.
</summary>
<dc:date>2022-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
