Now showing items 1-2 of 2

    • Кремниевые приборные структуры с эффективной излучательной рекомбинацией на дислокациях 

      Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.; Мофиднахаи, Ф.; Ивлев, Г. Д.; Якушев, М. В.; Мартин, Р. В.; Двуреченский, А. В.; Зиновьев, В. А.; Смагина, Ж. В.; Кучинская, П. А. (БНТУ, 2014)
      В кремниевых p-n структурах обнаружена эффективная электролюминесценция в области переходов зона–зона (1,1 эВ) и переходов, обусловленных дислокациями (D1–0,8 эВ), при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Установлено, что люминесценция, обусловленная дислокациями в монокристаллах Si, значительно сильнее, чем собственное межзонное излучение в интервале температур ...
      2014-08-25
    • Кремний-германиевые приборные наноструктуры для применения в оптоэлектронике 

      Мудрый, А. В.; Мофиднахаи, Ф.; Короткий, А. В.; Двуреченский, А. В.; Смагина, Ж. В.; Володин, В. А.; Новиков, П. Л. (БНТУ, 2012)
      Исследовано влияние технологических параметров (температура подложки, количество слоев Ge, ионная обработка) на оптические свойства Si/Ge наноструктур с квантовыми точками Ge. В спектрах комбинационного рассеянии света Si/Ge наноструктур наблю-дались линии, связанные с Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge колебательными модами. Обработка Si/Ge наноструктур в плазме водорода приводит к изменению ...
      2013-02-05