Now showing items 1-1 of 1

    • Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс 

      Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов ...
      2020-01-08