Browsing Т. 10, № 4 by Author "Марочкина, Я. Н."
Now showing items 1-1 of 1
-
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс
Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов ...2020-01-08