Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2019-10-09T06:25:37Z | |
| dc.date.available | 2019-10-09T06:25:37Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. – Минск : БНТУ, 2018. – Т. 3. – С. 410. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/57746 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Зарядовые свойства границ раздела Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
