Технология изготовления фотошаблонов, основанная на оперативном моделировании параметризованных процессов фотолитографии
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Abstract
Приводятся результаты разработки нового подхода к изготовлению оригиналов топологии на фотошаблонах, обеспечивающего возможность оперативной оценки фотолитографической значимости дефектов маски, обнаруженных в процессе контроля фотошаблонов на соответствие топологии, без выполнения операции проекционного переноса изображения с фотошаблона на полупроводниковую пластину. Данный подход гарантирует отсутствие не только одиночных, но и групповых дефектов топологии, а также дефектов структур коррекции оптической близости.
item.page.description-other
Description
Citation
Русецкий, В. А. Технология изготовления фотошаблонов, основанная на оперативном моделировании параметризованных процессов фотолитографии / В. А. Русецкий // Наука и техника : международный научно-технический журнал. – 2013. – № 4. – С. 43–49.