Now showing items 1-4 of 4

    • Биполярный транзистор 

      Кулецкий, Д. С.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2018)
      Кулецкий, Д. С. Биполярный транзистор / Д. С. Кулецкий, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 205-206.
      2018-08-30
    • Омические контакты к полупроводниковым структурам 

      Лихачева, А. С.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2018)
      Лихачева, А. С. Омические контакты к полупроводниковым структурам / А. С. Лихачева, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 208-209.
      2018-08-30
    • Тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором 

      Бабицкая, А. И.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2018)
      Бабицкая, А. И. Тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором / А. И. Бабицкая, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 189.
      2018-08-30
    • Электронно-дырочный переход 

      Шабура, М. А.; Сычик, В. А. (БНТУ, 2018)
      Шабура, М. А. Электронно-дырочный переход / М. А. Шабура, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 230-231.
      2018-08-30