Маломощный газовый сенсор на наноструктурированной диэлектрической мембране

Abstract

Представлены технология изготовления газового сенсора с наноструктурированной двухслойной диэлектрической мембраной на кремнии и характеристики изготовленного сенсора. Выбор корректной математической модели обеспечивает хорошее совпадение расчетных вольт-амперных характеристик сенсора с экспериментальными и позволяет оценить влияние пористости диэлектрической мембраны на изменение потребляемой мощности сенсора, температуры его чувствительного слоя и возникающих здесь термомеханических напряжений. Показано, что диапазон температур нагрева чувствительного слоя сенсора 150...350 °С, в котором регистрируется сенсорный отклик к 1 ррm СО, обеспечивается при потребляемой мощности сенсора от 5,0 до 15,5 мВт.