Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии
| dc.contributor.author | Бумай, Ю. А. | ru |
| dc.contributor.author | Васьков, О. С. | ru |
| dc.contributor.author | Нисс, В. С. | ru |
| dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | ru |
| dc.contributor.author | Керенцев, А. Ф. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-02-08T07:08:08Z | |
| dc.date.available | 2018-02-08T07:08:08Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 305-307. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/37423 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
