Исследовать пассивную модуляцию добротности лазеров, излучающих на длинах волн около2 мкм и 3 мкм, с помощью легированных кристаллов халькогенидов

Abstract

Объект исследования - кристаллы халькогенидов с ионами переходных металлов. Цель работы – выяснение возможности применения указанных материалов в качестве модуляторов добротности лазеров среднего ИК-диапазона. Результаты НИР - изучены спектроскопические свойства ионов Cr2+ в кристаллах Cr:Cd1-xMnxTe (СМТ). Реализованы импульсный и непрерывный режимы генерации лазера на кристаллах Cr:СМТ в области 2,6 мкм. Определены характеристики насыщаемого поглощения и продемонстрирована возможность использования данных примесных кристаллов в качестве активных сред и насыщающихся поглотителей твердотельных лазеров среднего ИК диапазона.