Создание и исследование полупроводниковых структур с магнитооптическим переключением электрических и оптических характеристик

Abstract

Объектом исследования являлись полупроводниковые приборы с расширенными функциональными возможностями на базе узкозонных полупроводниковых материалов и приборных структур металл-полупроводник-металл с использованием полупроводников с многозарядными примесями. Целью исследования являлся анализ характеристик фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей в условиях комбинированного воздействия факторов различной физической природы. Разработаны алгоритмы обработки информационных сигналов в рамках односигнальной модели многопараметрических измерений. Разработаны и испытаны конструкции одноэлементных фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей и методы обработки измерительных сигналов, позволяющих с помощью одноэлементного сенсора выделять сигналы параметров магнитного поля, интенсивности оптического излучения и длины волны монохроматического излучения. Выполнено и экспериментально подтверждено моделирование управления параметрами фотоприёмника путём изменения концентрации примеси с несколькими зарядовыми состояниями. Предложены конструкции функциональных фотоприёмников и рассмотрены области их применения.