Особенности инжекционных зависимостей времени жизни основных носителей заряда в полупроводниках с двумя видами рекомбинационных уровней
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Яржембицкая, Н. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2017-04-03T06:39:50Z | |
| dc.date.available | 2017-04-03T06:39:50Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.identifier.citation | Гусев, О. К. Особенности инжекционных зависимостей времени жизни основных носителей заряда в полупроводниках с двумя видами рекомбинационных уровней / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 2. - С. 204. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/29240 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Особенности инжекционных зависимостей времени жизни основных носителей заряда в полупроводниках с двумя видами рекомбинационных уровней | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
