Структурообразование карбидокремниевой матрицы при создании композиции алмаз-карбид кремния

Abstract

Исследована тонкая структура порошков алмаза (ACM 14/10) с покрытием и структура карбидокремниевой матрицы композиции алмаз-карбид кремния, полученной реакционным спеканием в засыпках исходных порошков алмаза и карбида кремния (марки FCP), активированного взрывом, с предварительным нанесением на них тонкопленочных покрытий кремния и графита (100 нм). Химическая реакция в покрытии с образованием карбида кремния протекает в диапазоне температур 650 — 750 °С. Формируемая после реакционного спекания оболочка карбида кремния сдерживает процесс графитизации алмаза при нагреве. Сформированная реакционным спеканием карбидокремниевая матрица имеет высокие значения вязкости разрушения (K1С=10 — 12 н/м^ 3/2 ). Полученные результаты позволяют считать предлагаемую технологию перспективной для создания сверхтвердых материалов на основе алмаза и карбида кремния.