Show simple item record

dc.contributor.authorАдамчук, Д. В.ru
dc.contributor.authorКсеневич, В. К.ru
dc.contributor.authorГорбачук, Н. И.ru
dc.contributor.authorШиманский, В. И.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2016-12-12T18:51:19Z
dc.date.available2016-12-12T18:51:19Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationИмпедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова = Impedance spectroscopy of polycrystalline tin dioxide films / Д. В. Адамчук и др. // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. - 2016. – Т. 7, № 3. – С. 312 - 321.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/26585
dc.description.abstractЦелью работы являлось применение метода импедансной спектроскопии для анализа влияния отжига в инертной среде на электрофизические свойства и структуру нестехиометрических пленок диоксида олова. Пленки SnO2 варьируемого стехиометрического состава получали двухступенчатым окислением металлического олова, нанесенного на подложки поликристаллического Al2O3 методом магнетронного напыления на постоянном токе. Для модификации структуры и стехиометрического состава исходных покрытий проводился отжиг в инертной среде в интервале температур 300–800 °С. Измерения импеданса полученных пленок SnO2 проводились в диапазоне частот 20 Гц – 2 МГц при комнатной температуре на воздухе. Исследование электропроводности пленок диоксида олова на переменном токе позволило установить, что в результате высокотемпературного отжига происходит изменение частотных зависимостей действительной и мнимой частей импеданса пленок. Предложены эквивалентные схемы замещения, описывающие частотные зависимости импеданса пленок различного структурного и стехиометрического состава. Использование метода импедансной спектроскопии позволило установить, что в процессе окислительного отжига формируется поликристаллическая пленка диоксида олова, электропроводность которой можно варьировать отжигом в инертной среде, в результате которого происходит перекристаллизация пленок и изменение ее стехиометрического состава, а также увеличение размеров кристаллитов SnO2. Изменения структуры и фазового состава пленок диоксида олова при проведении высокотемпературного отжига в инертной среде подтверждаются результатами проведенного рентгеноструктурного анализа. Установлено, что анализ годографов импеданса является информативным способом для исследования электрофизических свойств и структуры поликристаллических пленок диоксида олова.
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.subjectИмпедансная спектроскопияru
dc.subjectДиоксид олова - нестехиометрические пленкиru
dc.subjectВысокотемпературный отжигru
dc.subjectРентгеноструктурный анализru
dc.subjectImpedance spectroscopyen
dc.subjectNonstoichiometric tin dioxide filmsen
dc.subjectHigh-temperature annealingen
dc.subjectX-ray diffraction analysisen
dc.titleИмпедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида оловаru
dc.title.alternativeImpedance spectroscopy of polycrystalline tin dioxide filmsen
dc.typeArticleru
dc.relation.journalПриборы и методы измеренийru
dc.identifier.doi10.21122/2220-9506-2016-7-3-312-321
local.description.annotationThe aim of this work is the analysis of the influence of annealing in an inert atmosphere on the electrical properties and structure of non-stoichiometric tin dioxide films by means of impedance spectroscopy method. Non-stoichiometric tin dioxide films were fabricated by two-step oxidation of metallic tin deposited on the polycrystalline Al2O3 substrates by DC magnetron sputtering. In order to modify the structure and stoichiometric composition, the films were subjected to the high temperature annealing in argon atmosphere in temperature range 300–800 °С. AC-conductivity measurements of the films in the frequency range 20 Hz – 2 MHz were carried out. Variation in the frequency dependencies of the real and imaginary parts of the impedance of tin dioxide films was found to occur as a result of high-temperature annealing. Equivalent circuits for describing the properties of films with various structure and stoichiometric composition were proposed. Possibility of conductivity variation of the polycrystalline tin dioxide films as a result of аnnealing in an inert atmosphere was demonstrated by utilizing impedance spectroscopy. Annealing induces the recrystallization of the films, changing in their stoichiometry as well as increase of the sizes of SnO2 crystallites. Variation of electrical conductivity and structure of tin dioxide films as a result of annealing in inert atmosphere was confirmed by X-ray diffraction analysis. Analysis of the impedance diagrams of tin dioxide films was found to be a powerful tool to study their electrical properties.en


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record