Browsing №2 ( 5 ) by Author "Кулешов, Н. В."

Now showing items 1-2 of 2

    • Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой 

      Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Мальцев, В. В.; Леонюк, Н. И. (БНТУ, 2012)
      Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте ...
      2013-02-14

    • Система регенеративного усиления фемтосекундных лазерных импульсов на основе кристалла Yb3+:KGd(WO4)2 с диодной накачкой 

      Руденков, А. С.; Кисель, В. Э.; Гулевич, А. Е.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2012)
      Представлена система регенеративного усиления фемтосекундных лазерных импульсов, позволяющая получать лазерные импульсы с пиковой мощностью >1 ГВт и длительностью около 330 фс при частоте следования 1–10 кГц. Данная система предназначена для использования в спектроскопии методом возбуждения-зондирования с высоким временным разрешением, а также других приложениях, требующих высокой ...
      2013-02-12