Now showing items 1-8 of 8

    • Анализ электрических сигналов преобразователя при считывании информации с магнитного носителя 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С.; Зыков, Г. Л. (БНТУ, 2022)
      Представлены дифференциальные зависимости U(t) электрического напряжения от времени t на выходе магнитной головки (МГ), сканирующей магнитный носитель (МН) с записями магнитных полей, обусловленных разными причинами. На МН воздействовали импульсами магнитного поля. Получены интегральные зависимости U(t) с записями поля дефекта в металлическом объекте. На основании проведенного ...
      2022-07-04
    • Влияние параметров преобразователей магнитного поля на результаты контроля свойств объектов 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В.; Зыков, Г. Л. (БНТУ, 2021)
      На основании разработанных методов гистерезисной интерференции получены зависимости U(t) электрического напряжения, снимаемого с преобразователя магнитного поля, от времени t при записи импульсных магнитных полей на совмещенные дискретный датчик магнитного поля (ДДМП) и сплошной магнитный носитель (МН). На МН с образцами из алюминиевой фольги с дефектами воздействовали серией из ...
      2021-07-02
    • Контроль объектов в импульсных магнитных полях 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2023)
      Представлены распределения суммарных магнитных полей на поверхности объектов, содержащих внутренние дефекты сплошности. Расчеты проведены для объектов, магнитные свойства которых описаны найденными авторами арктангенсными характеристиками. Полученные распределения используются для построения картин гистерезисной интерференции, позволяющих повысить точность контроля свойств объектов.
      2023-10-13
    • Контроль свойств металлических объектов в прошедшей и отраженной электромагнитной волне 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С.; Зыков, Г. Л. (БНТУ, 2022)
      Представлены расчетные зависимости U(x) электрического напряжения от координаты x на выходе магнитной головки, сканирующей магнитный носитель (МН) с записями магнитных полей, отраженных от одиночных пластин из алюминия толщиной 0,10 мм и 0,11 мм, а также полей, прошедших через эти пластины, находящиеся с зазором в составе массивного объекта. На МН воздействовали серией из четырех ...
      2022-07-04
    • Разработка методов контроля свойств объектов в импульсных магнитных полях 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В. (БНТУ, 2021)
      Представлены разработки методов контроля свойств металлических объектов с помощью пленочных преобразователей магнитного поля: сплошного и дискретного магнитного носителя, магнитооптической пленки и пленочного флюкс-детектора. При этом использованы полученные авторами результаты исследований гистерезисной интерференции в импульсных магнитных полях и представлены примеры алгоритмов. ...
      2021-07-02
    • Распределения отраженных и прошедших через металл импульсных магнитных полей локального источника 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В. (БНТУ, 2021)
      Представлены зависимости U(t) электрического напряжения от времени t на выходе магнитной головки, сканирующей магнитный носитель (МН) с записями магнитных полей, прошедших через пластины из алюминия толщиной от 0,18 мм до 0,28 мм. На МН воздействовали четырьмя импульсами магнитного поля линейного индуктора. Получена гистерезисная интерференция импульсного магнитного поля в прошедшей ...
      2021-07-02
    • Расчеты распределений импульсных магнитных полей 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В. (БНТУ, 2023)
      Представлены расчетные распределения величины электрического напряжения U на выходе магнитной головки (МГ), сканирующей магнитный носитель (МН), по координате x. На МН воздействовали импульсами магнитного поля линейного индуктора. Предложены расчеты с многократным использованием начальной и гистерезисных ветвей остаточного намагничивания МН при построении гистерезисной интерференции. ...
      2023-10-13
    • Расчеты распределений электрического сигнала преобразователя магнитного поля 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2022)
      Представлены расчетные зависимости U(x) электрического напряжения от координаты x на выходе магнитной головки, сканирующей магнитный носитель (МН) с записями магнитных полей. На МН воздействовали тремя импульсами магнитного поля одного и двух линейных индукторов. Расчеты проведены в отраженной волне. Получена гистерезисная интерференция импульсного магнитного поля, позволяющая ...
      2022-07-04