Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения
Bibliographic entry
Гацкевич, Е. И. Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев, В. Л. Малевич // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 271-273.
Abstract
В данной работе приведены результаты численного моделирования процессов нагрева, плавления и кристаллизации при облучении наносекундными лазерными импульсами структур Si1-xGex, выращенных на Si подложке, и обсуждается механизм формирования в них ячеистой структуры, связанный с эффектом концентрационного переохлаждения.