| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | ru |
| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:14Z | |
| dc.date.available | 2023-12-21T07:32:14Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти = Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements / О. Г. Жевняк, А. В. Борздов, В. М. Борздов // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 226-227. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138498 | |
| dc.description.abstract | В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе функционирования современных элементов флеш-памяти, рассмотрено влияние ряда конструктивно-технологических параметров данных транзисторов на величину паразитных токов, проникающих на плавающий затвор. Показано, что с уменьшением длины проводящего канала, а также глубины залегания истоковой и стоковой областей величина этого тока увеличивается, что необходимо учитывать при проектировании перспективных элементов флеш-памяти. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти | ru |
| dc.title.alternative | Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | In present paper the effects of constructive parameters on parasitic tunnel current in short-channel MOSFETs with floating gate are studied by Monte Carlo simulation of electron transport. Such transistors are the base of contemporary flash-memory cells. Obtained data show that parasitic current is increased as result of the decreasing of channel length as well as drain region depth. | ru |
