| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-12-28T10:38:28Z | |
| dc.date.available | 2022-12-28T10:38:28Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло влияния рассеяния на фононах и ионах примеси на подвижность электронов в элементах флеш-памяти = Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements / О. Г. Жевняк // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 251-252. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/124513 | |
| dc.description.abstract | На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором с учетом и без учета рассеяния на фононах и ионах примеси. Полученные результаты показывают, что в этих структурах на подвижность электронов наиболее существенное влияние оказывают фононные механизмы рассеяния. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Моделирование методом Монте-Карло влияния рассеяния на фононах и ионах примеси на подвижность электронов в элементах флеш-памяти | ru |
| dc.title.alternative | Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором с учетом и без учета рассеяния на фононах и ионах примеси. Полученные результаты показывают, что в этих структурах на подвижность электронов наиболее существенное влияние оказывают фононные механизмы рассеяния. | ru |
