Метод расчета напряженного состояния, обусловленного динамическим микродвойником

Abstract

На основании методов модели нетонкого некогерентного микродвойника с непрерывным распределением двойникующих дислокаций на двойниковых границах разработан способ расчета напряженного состояния у динамического двойника в случае отсутствия дополнительной генерации источником двойникующих дислокаций. В модели учтено, что в этом случае двойник имеет как когерентные, так и некогерентные участки границ. Разработанная модель в расчетах напряженно-деформированного состояния у динамического двойника позволила учесть форму некогерентных участков двойниковых границ. Установлено, что локализованные напряжения мигрируют вместе с некогерентными участками двойника. Нормальные напряжения σxx меняют знак по отношению к направлению развития двойника. Сдвиговые напряжения σxy знакопеременны по отношению к оси, перпендикулярной направлению развития двойника и проходящей через середину некогерентного участка двойника. Распределение напряжений σyy и σyz имеет схожую конфигурацию. Напряжения σzx во второй и четвертой четвертях плоскости XOY отрицательны, в пер-вой и третьей – положительны. Распределение напряжений σzz по конфигурации практически не отличается от распределения напряжений σyy, но величина численных значений данных компонент тензора напряжений различна. Результаты были получены без использования модели тонкого двойника, позволяющей рассматривать лишь упругую стадию процесса двойникования. Выполненные расчеты напряжений у динамического двойника важны для прогнозирования на стадии накопления повреждений зарождения, обусловленного двойникованием разрушения, и позволяют повысить точность прогнозирования ресурса технических систем на базе двойникующихся материалов, таких как сплавы на основе железа, меди, цинка, алюминия, титана.