| dc.contributor.author | Телеш, Е. В. | ru |
| dc.contributor.author | Точеный, В. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:16Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:16Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Телеш, Е. В. Ионно-лучевое распыление мишени из политетрафторэтилена = Ion-beam sputtering of a polytetrafluoroethylene target / Е. В. Телеш, В. А. Точеный // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 355-356. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109579 | |
| dc.description.abstract | Определено влияние ускоряющего напряжение на аноде Ua, давления и состава рабочего газа на процессы нагрева и ионно-лучевого распыления мишени из политетрафторэтилена. Увеличение Ua и рабочего давления приводило к росту скорости нагрева и достижения максимальной температуры мишени до 480 К за 4–5 минут распыления. Установлено, что через 1–1,5 мин после начала распыления происходит увеличение рабочего давления в камере за счет разложения политетрафторэтилена. Повышение давления приводит к росту тока разряда и снижению напряжения анода до 1,0–1,2 кВ. Добавка фтор- содержащего газа С3F8 способствовала росту скорости нагрева мишени ~ в 2 раза и достижению за время распыления 4 мин температуры мишени 500 К. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Ионно-лучевое распыление мишени из политетрафторэтилена | ru |
| dc.title.alternative | Ion-beam sputtering of a polytetrafluoroethylene target | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The influence of the accelerating voltage at the anode Ua, the pressure and composition of the working gas on the heating and ion-beam sputtering of a polytetrafluoroethylene target is determined. An increase in Ua and working pressure led to an increase in the heating rate and to a maximum target temperature of up to 480 K in 4–5 minutes of sputtering. It was found that 1–1.5 min after the start of sputtering, the working pressure in the chamber increases due to the decomposition of polytetrafluoroethylene. An increase in pressure leads to an increase in the discharge current and a decrease in the anode voltage to 1.0–1.2 kV. The addition of fluorinecontaining gas С3F8 promoted an increase in the heating rate of the target by ~ 2 times and reached the target temperature of 500 K in a sputtering time of 4 min. | ru |
