Использование магнитного гистерезиса при контроле объектов из электропроводящих материалов в импульсных магнитных полях

Abstract

Приведены распределения электрического напряжения U(t), снимаемого с индукционной магнитной головки при сканировании ею дискретного магнитного носителя с записями остаточных магнитных полей, полученных при воздействии на магнитный носитель с контролируемым объектом импульсным магнитным полем с выбросами разной полярности. Возникновение упорядоченных распределений остаточных магнитных полей на магнитном носителе в результате последовательного воздействия на него импульсами магнитного поля названо гистерезисной интерференцией импульсного магнитного поля (HI). Описаны схема экспериментальной установки для исследования распространения импульсных магнитных полей, а также способы контроля объектов из электропроводящих и магнитных материалов, повышающие точность определения их удельной электропроводности σ, магнитной проницаемости μ, однородности распределения σ и μ, толщины и параметров дефектов сплошности в них.