Now showing items 1-1 of 1

    • Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски 

      Иванов, Н. А.; Исянова, Е. Д.; Карпушко, Ф. В.; Лобанов, Б. Д.; Максимова, Н. Т.; Проворов, А. М.; Саскевич, Н. А.; Синицын, Г. В.; Хулугуров, В. М.; Шнейдер, А. Г.; Ясюкевич, А. С. (Радио и связь, 1986)
      Впервые излучением импульсных ламп возбуждена генерация в лазере на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски. Для двух типов кристаллов, различающихся технологией выращивания и методом окрашивания, пороги генерации составили ~80 Дж, максимальные энергии импульса генерации ~10 мДж, длительности импульса 12 мкс; диапазоны перестройки длины волны были 0,89—1,03 и 0,90—0,99 ...
      2020-05-28