Browsing by Author "Кисель, В. Э."
Now showing items 21-40 of 93
-
Исследование генерационных характеристик кристаллов Er,Yb:YAl3(BO3)4 в зависимости от концентраций ионов эрбия
Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Мальцев, В. В.; Леонюк, Н. И.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2014)В данной работе представлены результаты исследований зависимости выходных мощностей и дифференциальных эффективностей лазеров на основе кристаллов Er,Yb:YAB от концентраций ионов эрбия.2015-03-23 -
Исследование спектроскопических характеристик лазерного кристалла Er3+:NaBi(MoO4)2
Гусакова, Н. В.; Демеш, М. П.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Руденков, А. С.; Ивашко, А. М. (БНТУ, 2014)Исследование спектроскопических характеристик лазерного кристалла Er3+:NaBi(MoO4)2 / Н. В. Гусакова [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 278-279.2015-03-23 -
Иттербиевые лазерные системы с продольной диодной накачкой: разработка и применения
Кисель, В. Э.; Руденков, А. С.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2018)Кисель, В. Э. Иттербиевые лазерные системы с продольной диодной накачкой: разработка и применения / В. Э. Кисель, А. С. Руденков, Н. В. Кулешов // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 7-8.2019-04-12 -
Иттербиевый лазер высокой мощности с продольной диодной накачкой
Руденков, А. С.; Кулешов, Н. В.; Кисель, В. Э. (БНТУ, 2011)Руденков, А. С. Иттербиевый лазер высокой мощности с продольной диодной накачкой / А. С. Руденков, Н. В. Кулешов, В. Э. Кисель // Новые направления развития приборостроения : материалы 4-й Международной студенческой научно-технической конференции, 20-22 апреля 2011 г. : конференция посвящается 90-летию Белорусского национального технического университета (БПИ - БГПА - БНТУ) / ...2021-03-11 -
Иттербиевый петлевой волоконный лазер в режиме синхронизации мод
Шишко, Т. А.; Лазарчук, А. И.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э. (БНТУ, 2023)Исследованы особенности получения режима синхронизации мод в полностью волоконном петлевом лазере на основе активного одномодового иттербиевого волокна. Измерены выходные характеристики излучения: частота следования и спектральная полуширина световых импульсов, выходная мощность и центральная длина волны выходного излучения.2023-12-21 -
Калибровка функции коэффициента пропускания люминесцентной установки
Демеш, М. П.; Гусакова, Н. В.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Курильчик, С. В.; Руденков, А. С.; Ивашко, А. М. (БНТУ, 2014)Калибровка функции коэффициента пропускания люминесцентной установки / М. П. Демеш [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 284-285.2015-03-23 -
Кристалл Er3+,Yb3+:YGdSiO5 для лазеров спектрального диапазона 1,5–1,6 мкм
Горбаченя, К. Н.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э.; Толстик, Н. А.; Тараченко, А. А.; Гоман, В. И.; Павловский, Л. К.; Орлович, В. А.; Волкова, Е. А.; Япаскурт, В. О.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2022)Твердотельные эрбиевые лазеры, излучающие в спектральной области 1,5–1,6 мкм, представляют большой интерес для различных практических применений. Из доступных на сегодня лазерных материалов для получения стимулированного излучения в области 1,5 мкм наибольшее распространение получили фосфатные стёкла, легированные ионами Er3+. Однако максимальные выходные мощности таких лазеров ...2022-04-04 -
Кристаллы Yb:KY(WO4)2 с высоким содержанием ионов иттербия: рост и спектрально-кинетические свойства
Кисель, В. Э.; Горбаченя, К. Н.; Руденков, А. С.; Гурецкий, С. А.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2021)Рассмотрены особенности роста кристаллов двойных вольфраматов с высоким содержанием трехвалентных ионов иттербия. Исследована зависимость времени жизни возбужденного состояния 2F5/2 ионов Yb3+ в зависимости от содержания активных центров в кристалле с учетом эффектов перепоглощения.2022-02-02 -
Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом
Демеш, М. П.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Низамутдинов, А. С.; Морозов, О. С.; Кораблева, С. Л.; Семашко, В. В. (БНТУ, 2021)На основе абсорбционно-люминесцентных свойств кристалла литий-иттриевого фторида, активированного ионами празеодима, определны требования к InGaN лазерным диодам, рассчитаны система фокусировки и резонатор Pr:YLF лазера, генерирующего на переходе 3Р1 → 3Н5. Выходная мощность лазерного излучения составила 0,5 Вт.2022-02-02 -
Лазер на кристалле Tm,Ho:KY(WО4)2, с диодной накачкой
Гачегов, Е. В.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2015)Лазер на кристалле Tm,Ho:KY(WО4)2, с диодной накачкой / Е. В. Гачегов [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 194.2022-08-24 -
Лазерная генерация в волноводном режиме на монокристаллическом слое двойного калиевого вольфрамата с ионами гольмия
Дернович, О. П.; Гусакова, Н. В.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э.; Кравцов, А. В.; Колесова, И. М.; Гурецкий, С. А.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2020)Лазерная генерация в волноводном режиме на монокристаллическом слое двойного калиевого вольфрамата с ионами гольмия / О. П. Дернович [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 365-367.2021-02-09 -
Лазерная генерация на кристаллах Er:LiYF4 и Er:LiLuF4 с резонансной накачкой
Горбаченя, К. Н.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Низамутдинов, А. С.; Кораблева, С. Л.; Семашко, В. В. (2016)Исследованы спектроскопические свойства кристаллов Er:LiLuF4 и Er:LiYF4 в спектральной области около 1.5 мкм, а также их генерационные характеристики в условиях резонансной лазерной накачки на длине волны 1522 нм. На кристалле Er:LiLuF4 достигнута максимальная дифференциальная эффективность генерации по поглощенной мощности накачки 44% с длиной волны излучения 1609 нм. Впервые ...2016-04-22 -
Лазерная генерация на эпитаксиальном монокристаллическом слое Er(1.3 ат.%):KGd0.2Yb0.15Y0.65(WO4)2 c резонансной накачкой
Дернович, О. П.; Курильчик, С. В.; Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Кравцов, А. В.; Гурецкий, С. А.; Колесова, И. М. (БНТУ, 2017)Лазерная генерация на эпитаксиальном монокристаллическом слое Er(1.3 ат.%):KGd0.2Yb0.15Y0.65(WO4)2 c резонансной накачкой / О. П. Дернович [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, ...2018-02-08 -
Лазерная система генерации ультракоротких импульсов на основе кристалла Yb3+:LuAlO3
Лазарчук, А. И.; Кисель, В. Э.; Горбаченя, К. Н.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2022)Лазерная система генерации ультракоротких импульсов на основе кристалла Yb3+:LuAlO3 / А. И. Лазарчук [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 15-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20−22 апреля 2022 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : ...2022-05-20 -
Масштабирование выходной мощности непрерывного Yb:YAG микрочип-лазера для измерительных систем
Ивашко, А. М.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2017)Усовершенствованию характеристик лазеров для использования в измерительных приборах уделяется большое внимание. Одним из перспективных направлений по уменьшению массогабаритных характеристик и энергопотребления для твердотельных лазеров является использование диодной накачки и микрочип-конфигурации резонатора. Увеличение выходной мощности при сохранении качества лазерного пучка ...2017-09-04 -
Метод определения положения фокальной плоскости фокусирующих компонентов
Ивашко, А. М.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2017)При изготовлении лазерных систем часто измеряют характеристики лазерного излучения по методу фокального пятна, для которого необходимо установить систему регистрации в фокальной плоскости фокусирующего компонента. Целью данной работы являлась разработка нового принципа установки матричного фотоприемника в фокальную плоскость фокусирующего компонента и лазерного излучателя для ...2017-03-02 -
Микрочип лазер с пассивной модуляцией добротности на кристалле ER,Yb:YAl3(BO3)4
Горбаченя, К. Н.; Кулешов, Н. В.; Кисель, В. Э. (БНТУ, 2012)Горбаченя, К. Н. Микрочип лазер с пассивной модуляцией добротности на кристалле ER,Yb:YAl3(BO3)4 / К. Н. Горбаченя, Н. В. Кулешов, В. Э. Кисель // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 197.2022-09-22 -
Миниатюрный иттербиевый лазер с диодной накачкой
Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Векшин, С. К. (БНТУ, 2009)Миниатюрный иттербиевый лазер с диодной накачкой / С. В. Курильчик [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 15.2022-10-26 -
Моделирование лазерного излучателя с диодной накачкой на основе кристалла Nd:YAG
Ватутина, В. Е.; Кисель, В. Э.; Орехов, К. А. (БНТУ, 2020)Ватутина, В. Е. Моделирование лазерного излучателя с диодной накачкой на основе кристалла Nd:YAG / В. Е. Ватутина, В. Э. Кисель, К. А. Орехов // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 427-429.2021-02-09 -
Насыщающиеся поглотители для пассивной модуляции добротности эрбиевых лазеров, излучающих в области 3 мкм
Кисель, В. Э.; Щербицкий, В. Г.; Кулешов, Н. В.; Постнова, Л. И.; Левченко, В. И. (2005)Насыщающиеся поглотители для пассивной модуляции добротности эрбиевых лазеров, излучающих в области 3 мкм / В. Э. Кисель [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. - 2005. – Т. 72 № 6. - С. 747-751.2016-12-22